Перевірка радіодеталей
Перевірка елементів електронних схем зазвичай здійснюється за допомогою на-гою омметра. Опір елемента вимірюється і порівнюється з со-спротивом справного елемента.
Опір резистора або котушки індуктивності може бути изме-рено точно, що дозволяє судити про характер несправності тестованого елемента. Резистори мають тенденцію до збільшення свого опираючись-ня або до внутрішнього обриву і дуже рідко викликають коротке замикаючи-ня в ланцюзі. Котушки індуктивності (і трансформатори) можуть замкнути ланцюг з'єднує безпосередньо, що легко встановити за допомогою омметра. У них можуть також утворюватися короткозамкнені витки (т. Е. Виникати коротке замикання між витками). Це досить поширена несправність-ність, але її важко виявити за допомогою омметра. Можливо також коротке замикання обмотки на сердечник; знайти таку несправність не складає труднощів. Як перевірити резистор. докладніше тут.
Несправність конденсатора може бути пов'язана з внутрішнім обривом, коротким замиканням або витоком. Коротке замикання або витік (т. Е. Низький опір) легко виявляються за допомогою омметра. Бо-леї важко встановити наявність обриву. Коли висновки омметра підсівши-об'єднуючим до висновків конденсатора, батарея омметра починає заряджати конденсатор. У разі конденсатора великої ємності стрілка омметра різко відхиляється на нульову відмітку і потім, у міру заряду конденсатора, повільно повертається до положення, відповідного біс-кінцевого опору. Якщо цього не відбувається, є обрив. Однак конденсатор малої місткості буде заряджатися настільки швидко, що вимірювальний прилад не зможе зареєструвати процес зарядки.
Електролітичні конденсатори можуть бути перевірені на внутрен-ний обрив, оскільки вони мають велику ємність і зазвичай великий струм витоку. Прилад показує низький опір (кілька сотень кіло) при підключенні конденсатора до омметру в правильній полярності.
Конденсатори можуть змінювати свою ємність в великих межах. Для виявлення цієї несправності необхідно вимірювати ємність мостовим методом.
Перевірка напівпровідникових пристроїв зазвичай включає вимірювання прямого і зворотного опорів pn-переходу. У разі діода омметр спочатку підключається, як показано на рис. 38.16 (а): негативним висновком до анода діода і позитивним - до його катода. При цьому діод буде зміщений у зворотному напрямку, і омметр покаже дуже ви-сокое опір (МОм). Потім полярність підключення змінюється на зворотну (рис. 38.16 (б)), і діод зміщується в прямому напрямі. Омметр зареєструє низьке пряме опір pn-переходу (600-1000 Ом при вимірюванні приладом з рухомою котушкою і кілька ом при вимірюванні електронним або цифровим вольтметром). Якщо в обох напрямках реєструється низький опір, то діод, ймовірно, несправний (коротке замикання).
Мал. 38.16. Перевірка діода.
Омметр можна також використовувати для визначення висновків діода - анода або катода. Коли омметр показує низький опір (пря-мій зміщення), як показано на рис. 38.16 (б), полярність підключення омметра збігається з полярністю діода, т. Е. Позитивний (чорний) висновок підключений до анода, а негативний (червоний) висновок - до катода.
Біполярний транзистор складається з двох pn -переходів, які перевірили-ються кожен окремо, т. Е. Так само, як перехід діода. Пряме і зворотне опору емітерного і колекторного переходів виміряти-ються окремо. Показання омметра повинні бути того ж порядку, як і для звичайного діода. Перевіряється також опір між колектив-тором і емітером, яке повинно мати дуже велику (мегаомах) або нескінченну величину в обох напрямках.
Для вимірювання опору обох переходів, а також опору самого каналу використовується омметр. Справний польовий транзистор дол-дружин мати такі величини опорів.
(Пряме зміщення) низький опір (40 Ом).
(Зворотний зсув) дуже велике (мегаомах).
(Пряме зміщення) низький опір (40 Ом).
(Зворотний зсув) дуже велике (мегаомах).
• Сток-витік або опору-тивление каналу
(В обох напрямках) низький опір (100 Ом).
Як пряме, так і зворотне опір між анодом і катодом дуже велике. Перемикання тиристора в провідний стан можна зарегиться-стрировать, підключаючи омметр в прямому напрямку, як показано на рис. 38.17. Якщо в цій схемі керуючий електрод тиристора закоротити з анодом, потече струм керуючого електрода, який пере-ключ тиристор в провідний стан. В результаті омметр покаже низький опір (кілька сотень ом). Це показання омметра не зміниться, якщо усунути коротке замикання між анодом і упра-вляющім електродом.
Мал. 38.18. Вплив шунтування при
внутрісхемний вимірі опору-тивления.
Завжди доцільно перевірити підозрілий елемент, поки він залишається-ся в схемі. Якщо несправність підтверджується, тоді можна замінити цей елемент. Такі перевірки здійснюються за допомогою омметра і зазвичай називаються перевірками ланцюга на обрив. При проведенні внутрішньо-схемних вимірювань потрібно вжити заходів для мінімізації шунтуючих-ного впливу інших компонентів схеми або врахувати цей вплив.
Внутрісхемний вимірювання опору
Розглянемо схему на рис. 38.18, де Rx - повне опір елементів-та, включеного між точками А і В, яке потрібно виміряти. Крім того, є паралельний ділянку ланцюга з опором R1 + R2 = 10 кОм +10 кОм = 20 кОм, за яким може протікати струм омметра і наявність якого призводить до зменшення показань омметра відно-сительно реальної величини опору Rx перевіряється елемента. Якщо елемент справний, то омметр покаже опір
При обриві Rx омметр показав би тільки величину шунтирующего со-спротиву, т. Е. 20 ком.
У схемі на рис. 38.18 шунтуючі опір порівняно з опору-опором перевіряється елемента. Отже, його вплив потрібно взяти до уваги. У схемі на рис. 38.19 Rx = 220 Ом. Величина шун-тірующего опору (20 кОм) в 100 разів більше, ніж опір перевіряється елемента. В цьому випадку впливом шунтування можна знехтувати.
У тих випадках, коли опір підозрюваного елемента су-громадської більше, ніж повний опір шунтирующей ланцюга (рис. 38.20), внутрісхемний перевірка стає марною. Омметр покаже опір, приблизно рівний опору шунта-рующей ланцюга.
Ріс.38.19. і 38.20 Вплив шунтування при внутрісхемний вимірі опору-тивления.
Для схеми на рис. 38.20 Показання омметра =
Відзначимо, що значення опору досліджуваного елемента, зарегиться-стрировать приладом, завжди буде або дорівнює, або менше, але ні в якому разі не більше (через шунтування), ніж його реальне значення. Якщо зареєстровано більший опір, значить, цей елемент або збільшив свій опір, або є розрив ланцюга.
У багатьох випадках шунтирующая ланцюг може включати pn-перехід діода, а також емітерний або колекторний переходи транзистора. На рис. 38.21 показаний простий однокаскадний транзисторний підсилювач. Припустимо, що для перевірки резистора R2 позитивний висновок омметра підключений до бази транзистора, а негативний - до шасі. Емітерний перехід отримує пряме зміщення від батареї омметра, і утворюється шунтирующая ланцюг (включаючи резистор R4) з низьким опору-опором, як показано на рис. 38.21 (а). В результаті омметр покаже недостовірне значення опору. Якщо змінити полярність підключення висновків омметра: негативний висновок - до бази, а поклади-вальний - до шасі, як показано на рис. 38.21 (б), то емітерний перехід буде зміщений у зворотному напрямку.
Мал. 38.21. Вплив шунтування при внутрісхемний вимірі опираючись-ня.
Шунтирующая ланцюг тепер обра-поклику дуже високим зворотним опором емітерного переходу (більше 500 кОм) і послідовним резистором R4. В цьому випадку впливав-ня шунтирующей ланцюга з таким високим опором дуже малий.
Отже, при внутрісхемний вимірі опору висновки омметра слід приєднувати так, щоб pn-перехід, які можуть утворити шунтуючу паралельну ланцюг, були зміщені у зворотному направле-нии. Це знижує вплив шунтуючих ланцюгів. На практиці знімають два окремих показання омметра при його включенні в тому і в іншому напрямках. Більш висока показання завжди є більш точним.
Котушки індуктивності (або трансформатори) мають дуже мале со-опір. Отже, тільки шунтирующая ланцюг з дуже низьким опором може зробити помітний вплив на точність показань омметра.
Витік може бути встановлена і підтверджена внутрішньосхемною провер-кою за допомогою омметра тільки в тому випадку, якщо опір шун-тірующей ланцюга розраховане з досить високою точністю. При про-верке електролітичних конденсаторів слід дотримуватись полярності підключення висновків омметра до конденсатору.
Діоди і транзистори
При перевірці підозрюваних на несправність діодів або транзисторів вимірюються пряме і зворотне опору переходів. Опираючись-ня переходів в прямому напрямку мало, тому вплив шунтуючих-щей ланцюга незначно. Наприклад, пряме опір колекторно-го переходу транзистора в схемі на рис. 38.21 становить приблизно 400 Ом. У зворотному напрямку опір переходу дуже велике, і омметр буде показувати головним чином опір шунтирующей ланцюга. При вимірюванні зворотного опору колекторного переходу транзистора на рис. 38.21 омметр покаже опір, рівний приклад-но R3 + R1 = 2,8 кОм + 15 кОм = 17,8 кОм.
Відзначимо, що при внутрішньому обриві переходу як пряме, так і зворотне опору будуть однаковими (17,8 кОм при обриві кол-лекторного переходу транзистора в схемі на рис. 38.21).